穿隧磁阻效应（Tunnel Magnetoresistance，简称TMR），就是利用了量子隧穿。      TMR 参数是描述电子通过磁性隧道结的电阻变化的效应，这是一个纯粹的量子效应，其背后的物理机制就是量子隧穿。在TMR效应中，两个磁性电极之间的绝缘层非常薄（下图示意图中的中间层，只有几个纳米），电子可以通过量子隧穿效应穿过这个绝缘层。当两个磁性电极的磁化方向并行时，电子的隧穿概率大；而当两个磁性电极的磁化方向反并行时，电子的隧穿概率小，从而造成了电阻的变化。       提及绝